【H07_01_HE9145_THA6平台_电压缓降失效、高温驱动失效问题】
1、问题描述
2、排查思路
L9945欠压复位问题，之前在F17-06项目出现过，查看下代码有没
,U不变，R变大，相当于电流阈值变小了。检查下电流阈值配置的多少
3、欠压复位原理
慢速诊断检查异常
周期任务里重新初始化配置信息
4、HE9145和L9945过流诊断策略差异
DSM 采集的两个电压点（低边 LS NMOS）
DRN3 引脚 → MOS 漏极 D（图中 C 点）
SNGP3 引脚 → MOS 源极 S（图中 B 点）
DSM 直接测量外部 NMOS 管 Vds = V(DRN) − V(SNGP)，也就是 MOS 管漏‑源两端电压。
对比 Shunt 模式（OC_DS_SHUNT_xx =1）
采样点：SNGP3（B 点） 和 GNSP3（A 点）
这就是图中多路选择器：
OC_DS_SHUNT_xx位用来二选一：0：选 DSM，输入来自 DRN/SNGP（MOS 的 Vds）
1：选 Shunt，输入来自 SNGP/GNSP（采样电阻压降）
实际测试下来L9945的这个DSM位和Shunt效果一样，会采集mos内阻+采样电阻
5、MEUM阀的高温失效问题
初始化命令中配置档位6档
10ms周期任务中修改为30档位
外部采样电阻0.05欧姆 I=U/R=520mV/0.05Ω=0.52V/0.05A=10.4A
修改为OC档位63 约为20A跟高边差不多
补充
是高边短电源故障，高边采集mos的内阻变了。
L9945充电泵电压=等于电池电压+12V
Normalized RDS(ON) vs. Junction Temperature（归一化导通电阻‑结温曲线）
曲线解读
Y 轴：Normalized RDS(ON)，归一化，以 25℃的 Rds (on)=1 倍作为基准；不是绝对 mΩ 数值。
X 轴：Tj 结温，单位℃，‑55℃ ~ +175℃。
关键点位（典型）‑50℃：约 0.7 倍 → 冷态，导通电阻变小
+25℃：1.0 倍（datasheet 标称 4.7mΩ@VGS=10V 就是这个点）
+100℃：约 1.5 倍 → Rds≈
4.7 *1.5 =7.05 mΩ+125℃：约 1.7 倍 → Rds≈
4.7 *1.7 =7.99 mΩ+150℃：约 2.1 倍 → Rds≈
4.7 *2.1 =9.87 mΩ
规律：硅 N‑MOS 正温度系数：结温越高，Rds (on) 越大；温度越低，Rds 越小。 物理原因：温度升高，硅内电子迁移率下降，沟道电阻变大。
mos内阻变大 理论过流阈值小了很多
mos从25℃4.7mΩ内阻变大100℃7mΩ 理论过流阈值小了很多
修改标定量L9945_2_datOCLimtTest2UB_CA[0]即可
